6N138/6N139 低输入电流,高增益 光耦 特征 高电流传输比,800％ 低输入电流,0.5毫安 高输出电流,60毫安 隔离测试电压,5300 V RMS TTL兼容输出, V OL =0.1 V 高共模抑制,500 V / s 可调带宽,访问相应的 标准模压浸塑料包装 美国保险商实验室文件＃E52744 V VDE＃0884认证可用 逻辑接地隔离-TTL / TTL,TTL / CMOS, CMOS / CMOS,CMOS / TTL EIA RS 232C线路接收器 低输入电流线路接收器,排长队, 坚持党的* 电话铃声* 117 VAC线电压状态指示 - 低 输入功率耗散 低功耗系统,接地隔离 说明 高共模瞬态抑制也很 大电流比例与5300 V RMS insula- 化由耦合在八脚双列直插式封装中集成高增益光检测器的 LED来实现.单独的管脚光电二极管和输出级使TTL兼容 饱和电压与高速操作. 光电复合操作是通过把实现 V CC and V O 终端在一起.访问基 终端允许调整到增益带宽. 该6N138是理想的,因为TTL应用 与LED 300％,最小电流传输比 1.6 mA电流使操作与一个单位 负载在和一个单位负载出了为2.2k 拉起 电阻. 所述6N139是最适合于低功率逻辑应用程序 阳离子涉及CMOS和低功耗TTL.一个 与只有0.5毫安LED的400％电流传输比 电流从0保证 ° C至70 ° C. 注意： 由于该设备的小的几何形状,它应当与静电放电（ESD）预防措施 来处理. 适当的接地将防止损坏进一步和/或降解可被ESD诱导. 标签： 6N13   6N139离合器   深圳市6N139   深圳市6N139厂家

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6N139光耦 FAIRCHILD DIP-8 原装光耦离合器